Ahogy a nagyméretű AI-modellek és a nagy teljesítményű számítástechnika igényei folyamatosan növekednek, az áramellátó rendszerekre nehezedő nyomás is egyre fokozódik. Erre a növekvő igényre reagálva az Innoscience bejelentette stratégiai együttműködését az NVIDIA-val, a mesterséges intelligencia globális vezetőjével, hogy elősegítse a fejlett 800 VDC áramellátási architektúra széleskörű bevezetését az AI adatközpontokban.
Az NVIDIA 800 VDC platformja a nagy hatékonyságú energiarendszerek új generációját képviseli, amelyet kifejezetten úgy fejlesztettek ki, hogy kielégítse a jövő megawatt-léptékű számítási infrastruktúrájának növekvő energiaigényét. A hagyományos, 54 V-os architektúrákkal összehasonlítva a 800 VDC megoldás jelentős javulást kínál a rendszerhatékonyság, a hőtechnikai teljesítmény és az általános megbízhatóság terén. Ezek az előnyök kulcsfontosságúak ahhoz, hogy elérhetővé váljon az a 100–1000-szeres számítási teljesítménynövekedés, amelyet a mai legigényesebb AI-feladatok megkövetelnek.
Az Innoscience, a világ vezető, gallium-nitrid (GaN) technológiára szakosodott integrált eszközgyártója (IDM), a partnerségbe legújabb, harmadik generációs GaN-eszközeit hozza. Ezek az alkatrészek kivételesen magas frekvenciájú működésükről, kiemelkedő hatékonyságukról és kompakt teljesítménysűrűségükről ismertek. A GaN-alapú áramellátási lánc gerincét alkotják, amely az NVIDIA 800 VDC architektúráját támogatja – lefedve a teljes feszültségtartományt a 800 V-os bemeneti szakasztól egészen a GPU kimenetekig, beleértve a közbenső 15 V-tól 1200 V-ig terjedő feszültségszinteket is.
Az Innoscience élvonalbeli GaN-technológiája és az NVIDIA előremutató 800 VDC architektúrája közötti szinergia jelentős előrelépést jelent az AI adatközpontok tervezésében. A két vállalat közösen kívánja felgyorsítani az iparág átállását a kilowatt-léptékű rendszerekről a megawatt-osztályú infrastruktúrára, megnyitva az utat egy új korszak előtt, amelyben az AI számítás rendkívül hatékony, skálázható és fenntartható lesz.